Infineon công bố các dòng CoolGaN Transistor thế hệ mới trên quy trình 8-inch

Nguồn: Infineon.

Infineon cho biết, hai dòng sản phẩm mới này được sản xuất trên quy trình 8-inch hiệu suất cao tại nhà máy của Infineon tại Kulim (Malaysia) và Villach (Áo). Điều này giúp Infineon mở rộng các ưu điểm của CoolGaN cũng như năng lực đảm bảo chuỗi cung ứng vững chắc cho thị trường thiết bị GaN. Theo Tập đoàn Yole, thị trường này dự kiến sẽ tăng trưởng với tốc độ 46% mỗi năm trong 5 năm tới.

Ông Adam White, Chủ tịch Bộ phận Hệ thống Năng lượng và Cảm biến của Infineon chia sẻ: "Công bố ngày hôm nay kế thừa thành công từ việc Infineon mua lại GaN Systems năm ngoái và mang đến thị trường một tầm hiệu suất và hiệu quả mới cho khách hàng của chúng tôi. Các thế hệ mới của dòng sản phẩm CoolGaN điện áp cao và trung bình của Infineon thể hiện lợi thế sản phẩm, và hoàn toàn được sản xuất trên công nghệ 8-inch, minh chứng cho khả năng mở rộng quy mô nhanh chóng của GaN lên đường kính wafer lớn hơn. Tôi rất mong chờ được chứng kiến những ứng dụng đột phá từ khách hàng nhờ các thế hệ GaN mới này."

Dòng sản phẩm G5 650V mới sẽ đáp ứng các ứng dụng trong lĩnh vực tiêu dùng, trung tâm dữ liệu, công nghiệp và năng lượng mặt trời. Đây là thế hệ tiếp theo của dòng sản phẩm điện áp cao dựa trên GIT từ Infineon. Bên cạnh đó, dòng sản phẩm thứ hai được sản xuất trên quy trình 8-inch là các thiết bị G3 điện áp trung bình, bao gồm CoolGaN Transistor 60V, 80V, 100V, 120V; và các thiết bị chuyển đổi 2 chiều (BDS) 40V. Các sản phẩm G3 điện áp trung bình nhắm vào các ứng dụng truyền động mô-tơ, viễn thông, trung tâm dữ liệu, năng lượng mặt trời và tiêu dùng.

Về khả năng cung ứng, CoolGaN 650V G5 sẽ có mặt trên thị trường vào quý 4/2024, và CoolGaN G3 điện áp trung bình sẽ ra mắt vào quý 3/2024. Mẫu thử nghiệm hiện đã sẵn sàng, thông tin chi tiết có tại đây.