Công ty công nghệ Microchip (Mỹ) vừa ra mắt danh mục thiết bị IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) thế hệ thứ 7, được tối ưu hóa đặc biệt cho các ứng dụng trung tâm dữ liệu, xe điện và phát triển bền vững. Danh mục sản phẩm mới cung cấp đa dạng lựa chọn với nhiều kiến trúc, dải dòng điện và điện áp khác nhau, giúp đáp ứng linh hoạt nhu cầu của các nhà phát triển.

Danh mục IGBT 7 của Microchip có sẵn với nhiều kiến trúc, dải dòng điện và điện áp khác nhau. Ảnh: Microchip

Theo đại diện hãng, dòng sản phẩm mới được trang bị nhiều tính năng nổi bật như công suất cao, tổn hao năng lượng thấp và thiết kế nhỏ gọn. Các thiết bị này nhắm đến các thị trường tăng trưởng nhanh như phát triển bền vững, xe điện và trung tâm dữ liệu.

"Danh mục thiết bị IGBT 7 kết hợp tính dễ sử dụng, hiệu quả chi phí với mật độ năng lượng và độ tin cậy cao, mang lại sự linh hoạt tối đa cho khách hàng", ông Leon Gross, Phó chủ tịch bộ phận sản phẩm rời rạc của Microchip chia sẻ.

Đáng chú ý, các thiết bị IGBT 7 được cung cấp với nhiều tùy chọn đa dạng. Người dùng có thể lựa chọn các gói D3 và D4 62 mm tiêu chuẩn, hoặc các gói SP6C, SP1F và SP6LI. Sản phẩm hỗ trợ nhiều kiến trúc như kẹp điểm trung tính ba cấp (NPC), cầu ba pha, máy băm tăng áp với điện áp từ 1200V đến 1700V và dòng điện từ 50A đến 900A.

Với điện áp IGBT thấp hơn trong trạng thái bật, diode phản song song cải tiến và khả năng hỗ trợ dòng điện cao, dòng sản phẩm mới góp phần giảm tổn thất điện năng, tăng mật độ năng lượng và hiệu quả hệ thống. Các thiết bị này đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng hàng không, quốc phòng đòi hỏi độ tin cậy cao.

Các phiên bản của danh mục thiết bị IGBT 7 hiện đã có mặt trên thị trường với số lượng sản xuất. Khách hàng có thể liên hệ đại diện bán hàng, nhà phân phối ủy quyền hoặc truy cập trang web của hãng Microchipdirect.com để biết thêm chi tiết và đặt hàng.